63-9727-94 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 287 A 表面実装 パッケージDFN 4+Tab ピン NVMFS5C604NLAFT1G
[ON Semiconductor] NVMFS5C604NLAFT1G N-Channel MOSFET, 287 A, 60 V NVMFS5C604NL, 4 + Tab-Pin DFN ON Semiconductor
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：287 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：DFN
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：200 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：141-3193
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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