特徴
- PチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：170 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：0.95V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.45V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：トレンチMOSFET
- 最大パワー消費：6.25 W
- 寸法：3 x 1.4 x 1mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：136-4786
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|