特徴
- NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：80 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SO
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：104 W
- 標準ターンオン遅延時間：28 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：134-9727
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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