特徴
- デュアル、Nチャンネル及びPチャンネルMOSFET、ローム
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：2.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：140 mΩ, 280 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10 V, +10 V
- パッケージタイプ：TSST
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.25 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：177-7853
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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