63-8400-16 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 63 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRLR3110ZTRLPBF
[Infineon] IRLR3110ZTRLPBF N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
- さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：63 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：140 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-6033
