63-8400-08 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 8.1 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（4000個入） IRL6372TRPBF
[Infineon] IRL6372TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
- さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：11 nC @ 15 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-6026
