63-8399-97 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 62 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRFS4227TRLPBF
[Infineon] IRFS4227TRLPBF N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：62 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：330 W
- 順方向ダイオード電圧：1.3V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-6016
