63-8399-85　Nチャンネル パワーMOSFET 293 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 7+Tab ピン 1セット（800個入）　IRFS3006TRL7PP

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　60　→　80　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（800個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：293　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.1　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：7+Tab
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：375　W
• シリーズ：HEXFET
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-6006