63-8399-79　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　11　A　表面実装　パッケージPQFN　8　ピン　IRFHM9391TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：11　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：22.5　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-25　V,　+25　V
• パッケージタイプ：PQFN
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.6　W
• シリーズ：HEXFET
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-5998