63-8399-77 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージPQFN 8 ピン IRFH6200TRPBF
[Infineon] IRFH6200TRPBF N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：PQFN
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：156 W
- 標準ターンオン遅延時間：14 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-5995
