63-8399-59　デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 9.1 A、11 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（4000個入）　IRF7907TRPBF

特徴

• デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
• さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：9.1　A、11　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：13.7　mΩ,　20.5　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.35V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.35V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-5975