63-8399-44　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　13.4　A　表面実装　パッケージMZ　3+Tab　ピン　IRF6674TRPBF

特徴

• DirectFETRパワーMOSFET、Infineon
• DirectFETR　パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。
• DirectFETR　MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。
• 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗　非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化　非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。
• わずか0.7　mmの低プロファイル

仕様

• 入数：1リール（4800個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：13.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：11　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4.9V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：MZ
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3+Tab
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：89　W
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-5959