63-8399-38　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　20　A　表面実装　パッケージSOIC　8　ピン　IRF3717TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　12　→　25　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：20　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.7　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.45V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.55V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 標準ゲートチャージ　@　Vgs：22　nC　@　4.5　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-5951