63-8399-35 Nチャンネル パワーMOSFET 129 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン 1セット(800個入) IRF135S203

[Infineon] IRF135S203 N-Channel MOSFET, 129 A, 135 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon

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特徴

  • StrongIRFETパワーMOSFET、Infineon
  • Infineon製の StrongIRFET ファミリは、R DS (on)を低くし、電流通過能力を高くするように最適化されています。
  • このポートフォリオは、性能と堅牢性が必要となるモータドライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理を含む低周波用途に最適な優れたゲート特性、アバランシェ特性、動的dv/dt耐久性を発揮します。

仕様

  • 入数:1リール(800個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:129 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:135 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:8.4 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:4V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:441 W
  • 動作温度 Max:+175 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:168-5948
アズワン品番
63-8399-35
型番
IRF135S203
入り数
1セット(800個入)
標準価格
306,000円(税抜)
WEB価格
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