特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：550 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：650 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：5 W
- 標準ターンオフ遅延時間：27 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-5925
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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