63-8399-15 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン IPN50R3K0CEATMA1
[Infineon] IPN50R3K0CEATMA1 N-Channel MOSFET, 2.6 A, 550 V CoolMOS CE, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：550 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：5 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：84 pF @ 100 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-5924
