特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：74 W
- 動作温度 Min：-40 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-5913
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|