特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1チューブ（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：360 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-227
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-4577
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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