63-8395-59 Nチャンネル パワーMOSFET 200 A 表面実装 パッケージSOT-227B 4 ピン 1セット（10個入） IXFN200N10P
[IXYS] IXFN200N10P N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Polar HiPerFET, 4-Pin SOT-227B IXYS
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Polarシリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET）
仕様
- 入数：1チューブ（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：200 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：680 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-4576
