63-8383-61 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 298 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IRL60S216
[Infineon] IRL60S216 N-Channel MOSFET, 298 A, 60 V StrongIRFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- StrongIRFETロジックレベルパワーMOSFET
- +5 Vロジックレベルのゲートドライブ向けに最適化されたInfineon StrongIRFETファミリの拡張製品です。
- これらの製品は、低R DS (on)による高い効率、高通電容量による堅牢性と動作信頼性など、既存のStrongIRFETファミリと同一の特性を共有しています。
- 最適なR DS (on) @ V GS = +4.5 V バッテリ駆動システムに最適
- 用途:モータドライバ、同期整流システム、OR-ing / 冗長電源スイッチ、DC-DCコンバータ
仕様
- 入数:1リール(800個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:298 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:2.2 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧:1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:375 W
- トランジスタ素材:Si
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:145-8770