63-8378-85 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 180 A 表面実装 パッケージH2PAK-2 3 ピン STH180N10F3-2
[STMicroelectronics] STH180N10F3-2 N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V STripFET F3, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：180 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：H2PAK-2
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：315 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：761-0500
