63-8352-60 MOSFET 1セット（3000個入） FDV303N
[ON Semiconductor] FDV303N N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor
特徴
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタ（FET）は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。
- この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：680 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：450 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.65V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+8 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：350 mW
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：145-5305
