63-8351-40 Nチャンネル パワーMOSFET 12 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（1000個入） STB18N60DM2
[STMicroelectronics] STB18N60DM2 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V MDmesh DM2, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics
- MDmesh DM2 MOSFETは、RDS（on）が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。
- このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。
- 優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上 AEC-Q101認定
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：290 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：90 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：800 pF @ 100 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-0942
