特徴
- Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：46 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：33 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：166-0823
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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