63-8349-46 [取扱停止]PNP 抵抗内蔵トランジスタ, 50 V, 100 mA, 47 kΩ, 3-Pin SOT-23 BCR198E6327HTSA1
[Infineon] Infineon, BCR198E6327HTSA1 PNP Digital Transistor, 100 mA 50 V 47 kΩ, Ratio Of 1, 3-Pin SOT-23
特徴
- デュアル抵抗内蔵デジタルトランジスタ、Infineon
- Infineonのバイポーラジャンクショントランジスタ製品です。
- コンポーネントを追加せずにデジタルソースからデバイスを直接駆動できる内蔵抵抗器を搭載しています。
- デュアル抵抗器デバイスには、直列入力抵抗器1つと、トランジスタベースとエミッタの間に接続された抵抗器が1つ付いています。
仕様
- 入数:1リール(3000個入)
- トランジスタタイプ:PNP
- 1チップ当たりのエレメント数:1
- 最大連続コレクタ電流:100 mA
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧:50 V
- 標準入力抵抗:47 kΩ
- 実装タイプ:表面実装
- パッケージタイプ:SOT-23
- ピン数:3
- 最小DC電流ゲイン:70
- 最大パワー消費:200 mW
- 最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧:0.3 V
- 最大エミッタ-ベース間電圧:10 V
- 標準抵抗比:1
- 長さ:2.9mm
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:168-5883