特徴
- Infineon OptiMOSFDパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：84 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：300 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：166-0877
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|