特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.1 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：38 W
- 寸法：6.73 x 6.22 x 2.41mm
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：166-1090
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|