特徴
- InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管
- Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタ
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：25 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-6 V, +6 V
- パッケージタイプ：SOT-343
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：デプレッション型
- カテゴリー：MOSFET 4極管
- 最大パワー消費：200 mW
- 長さ：2mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-1060
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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