63-8348-60 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IPD220N06L3GBTMA1
[Infineon] IPD220N06L3GBTMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- Infineon OptiMOS3個のパワーMOSFET、60 → 80 V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。
- このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。
- これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:39.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:36 W
- 動作温度 Max:+175 °C
- RoHS適合状況:対象外
- コード番号:166-1092