63-8348-58　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　80　A　表面実装　パッケージDPAK　（TO-252）　3　ピン　IPD80P03P4L07ATMA1

特徴

• Infineon　OptiMOSP　PチャンネルパワーMOSFET
• Infineon　OptiMOS　PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。
• 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。
• 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。
• 強化モード　アバランシェ定格　スイッチングロスと導電損失が低い　無鉛めっき、RoHS準拠　標準パッケージ　OptiMOS　Pチャンネルシリーズ：　-55　→　+175　°Cの温度範囲

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：80　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：12　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-16　V、+5　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：88　W
• 動作温度　Max：+175　°C
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：166-1147