63-8317-16　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　8.7　A　表面実装　パッケージPQFN　6　ピン　IRLHS6342TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：8.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：19.5　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：PQFN
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.1　W
• 動作温度　Max：+150　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：737-7259