63-8300-83　Nチャンネル パワーMOSFET 63 A パネルマウント パッケージSOT-227B 4 ピン 1セット（10個入）　IXFN80N50Q3

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET、IXYS　HiperFET　Q3シリーズ
• IXYSのQ3クラスのHiperFETパワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。
• これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100　V及び70　Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。
• 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
• 高速真性整流器　低RDS　（オン）及びQG　（ゲート電荷量）　低真性ゲート抵抗　産業用の標準パッケージ　低パッケージインダクタンス　高電力密度

仕様

• 入数：1チューブ（10個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：63　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：500　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：65　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：6.5V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：SOT-227B
• 実装タイプ：パネルマウント
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：780　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：146-1760