63-8220-55 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 60 A 表面実装 パッケージ1212 8 ピン 1セット（3000個入） SiSS12DN-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiSS12DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：60 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.002 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：65.7 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3701
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|