63-8220-53 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 133 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン SiR112DP-T1-RE3
[Vishay Siliconix] SiR112DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 133 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：133 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.002 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：62.5 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3686
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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