63-8220-52 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 64.6 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン SiDR622DP-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiDR622DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 64.6 A, 150 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：64.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.02 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3671
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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