特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（95個入）
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：178-1531
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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