63-8166-55　ショットキーバリアダイオード, 8A, 45V 表面実装, 2-Pin DO-221BC ショットキー 570mV 1セット（14000個入）　V8PAL45HM3/I

特徴

• TMBS　-　Trench　MOSバリアショットキー整流器、最大20　A、Vishay　Semiconductor
• VishayのTrench　MOSバリアショットキー（TMBS）整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。
• TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。
• 動作電圧が45　Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。
• 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。
• 結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。
• 特長
• 特許取得済みのトレンチ構造　AC　/　DCスイッチモード電源とDC　/　DCコンバータの効率性が向上　高電力密度と低順方向電圧を実現

仕様

• 入数：1リール（14000個入）
• ダイオード構成：シングル
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• ピーク逆繰返し電圧：45V
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：DO-221BC
• ダイオードテクノロジー：ショットキー
• ピン数：2
• 最大順方向降下電圧：570mV
• 長さ：4.35mm
• 幅：2.7mm
• 高さ：1mm
• ピーク逆電流：30mA
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：170-8412