63-8134-22 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージH2PAK-2 3 ピン STH80N10F7-2
[STMicroelectronics] STH80N10F7-2 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET H7, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET H7シリーズ、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：H2PAK-2
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：110 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-7108
