63-8134-22 [受注停止]Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージH2PAK-2 3 ピン  STH80N10F7-2

[STMicroelectronics] STH80N10F7-2 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET H7, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics

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よくあるご質問

特徴

  • NチャンネルSTripFET H7シリーズ、STMicroelectronics
  • 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

仕様

  • 入数:1リール(1000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:80 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:9.5 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:4.5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2.5V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:H2PAK-2
  • 実装タイプ:表面実装
  • トランジスタ構成:シングル
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:110 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:168-7108

アズワン品番 63-8134-22
型番 STH80N10F7-2
標準価格 140,000円(税抜)
WEB価格 -
入り数 1セット(1000個入)
  受注停止
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