63-8132-07 Nチャンネル パワーMOSFET 28 A パネルマウント パッケージSOT-227B 4 ピン  IXFN32N100Q3

[IXYS] IXFN32N100Q3 N-Channel MOSFET, 28 A, 1000 V HiperFET, Q3-Class, 4-Pin SOT-227B IXYS

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よくあるご質問

特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Q3シリーズ
  • IXYSのQ3クラスのHiperFETパワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。
  • これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。
  • 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
  • 高速真性整流器 低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗 産業用の標準パッケージ 低パッケージインダクタンス 高電力密度

仕様

  • 入数:1チューブ(10個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:28 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:1000 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:320 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:6.5V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V
  • パッケージタイプ:SOT-227B
  • 実装タイプ:パネルマウント
  • ピン数:4
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:780 W
  • 1チップ当たりのエレメント数:1
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:168-4754

アズワン品番 63-8132-07
型番 IXFN32N100Q3
標準価格 53,400円(税抜)
WEB価格
入り数 1セット(10個入)
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