63-8131-99 Nチャンネル パワーMOSFET 18 A 表面実装 パッケージTO-268 3 ピン  IXFT18N100Q3

[IXYS] IXFT18N100Q3 N-Channel MOSFET, 18 A, 1000 V HiperFET, Q3-Class, 3-Pin TO-268 IXYS

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よくあるご質問

特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Q3シリーズ
  • IXYSのQ3クラスのHiperFETパワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。
  • これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。
  • 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
  • 高速真性整流器 低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗 産業用の標準パッケージ 低パッケージインダクタンス 高電力密度

仕様

  • 入数:1チューブ(30個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:18 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:1000 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:660 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:6.5V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V
  • パッケージタイプ:TO-268
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:830 W
  • 動作温度 Max:+150 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:168-4712

アズワン品番 63-8131-99
型番 IXFT18N100Q3
標準価格 47,700円(税抜)
WEB価格
入り数 1セット(30個入)
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