63-8116-59 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 860 mA 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-88） 6 ピン 1袋（20個入） PMGD290XN,115
[Nexperia] PMGD290XN,115 Dual N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia
特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：860 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：350 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-88）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：410 mW
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：34 pF @ 20 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：725-8394
