特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1リール（40個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：350 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.6 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-666
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：390 mW
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：0.6 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：792-0768
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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