63-8107-57　Pチャンネル 小信号 MOSFET 190 mA 表面実装 パッケージSOT-89 3 ピン 1セット（1000個入）　BSS192PH6327FTSA1

特徴

• Infineon　SIPMOSR　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　R　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。
• SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1リール（1000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：190　mA
• 最大ドレイン-ソース間電圧：250　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：20　Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-89
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：小信号
• 最大パワー消費：1　W
• 寸法：4.5　x　2.5　x　1.5mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：145-9451