63-8107-23 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン NVF2955T1G
[ON Semiconductor] NVF2955T1G P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3+Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET、30 → 500 V、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（40個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：185 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.3 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：807-9871
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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