63-8106-95 Nチャンネル パワーMOSFET 3.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（5個入） FDT86113LZ
[ON Semiconductor] FDT86113LZ N-Channel MOSFET, 3.3 A, 100 V PowerTrench, 3+Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：189 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.2 W
- 標準ターンオン遅延時間：3.8 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-9715
