63-8098-82 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 3 A、3.9 A 表面実装 パッケージChipFET 8 ピン 1セット（25個入） NTHC5513T1G
[ON Semiconductor] NTHC5513T1G Dual N/P-Channel MOSFET, 3 A, 3.9 A, 20 V, 8-Pin ChipFET ON Semiconductor
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1テープ（25個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3 A、3.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：115 mΩ, 240 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：ChipFET
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 標準ターンオフ遅延時間：10 ns、33 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：780-0573
