63-8098-52 N, Pチャンネル MOSFET 190 mA, 300 mA 表面実装 パッケージSOT-523 （SC-89） 6 ピン 1袋（20個入） SI1029X-T1-GE3
[Vishay] SI1029X-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-523 Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：190 mA, 300 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3 Ω、8 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-523 （SC-89）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：250 mW
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：1700 nC @ 15 V、750 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：787-9055
