63-8094-53 N+Pチャンネル パワーMOSFET 4.1 A、4.6 A 表面実装 パッケージWDFN 6 ピン 1袋（10個入） NTLJD3119CTBG
[ON Semiconductor] NTLJD3119CTBG Dual N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN ON Semiconductor
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：4.1 A、4.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：120 mΩ, 200 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：WDFN
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.3 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：780-0655
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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