63-8094-32　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　2.9　A　表面実装　パッケージMLP　6　ピン　FDMA1430JP

特徴

• PチャンネルPowerTrenchR　MOSFET、及びNPNバイポーラトランジスタ、Fairchild　Semiconductor
• このデバイスは、携帯ハンドセット用途における負荷スイッチングのためのシングルパッケージソリューション専用に設計されています。
• MicroFET　2　x　2　mmの省スペースパッケージ内に内蔵された、50　VのNPNバイポーラ接合トランジスタ（BJT）及び30　VのPチャンネルPowerTrenchR　MOSFETが特徴です。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：2.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：240　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-8　V,　+8　V
• パッケージタイプ：MLP
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.5　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-1992