特徴
- NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.35 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：PowerPAK SO
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：104 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：147 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：787-9367
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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